इस समझौते का उद्देश्य इंजीनियरों के लिए GaN प्रौद्योगिकी तक पहुंच का विस्तार करना और उच्च दक्षता वाले बिजली समाधानों को अपनाने में तेजी लाना है।
ईपीसी2302जो अब माउजर से उपलब्ध है, 1.8 mΩ अधिकतम R हैडीएस(चालू)उत्कृष्ट थर्मल प्रबंधन के लिए एक खुले शीर्ष के साथ कम-प्रेरकत्व वाले 3 x 5 मिमी QFN पैकेज में 100 V eGaN पावर ट्रांजिस्टर।
इसे 40 V से 60 V तक उच्च-आवृत्ति DC-DC अनुप्रयोगों और 48 V BLDC मोटर ड्राइव के लिए डिज़ाइन किया गया है। खुला शीर्ष शीर्ष-साइड थर्मल प्रबंधन को बढ़ाता है, और साइड-वेटटेबल फ्लैंक सुनिश्चित करता है कि रिफ्लो के दौरान पूरी साइड पैड की सतह सोल्डर से गीली हो, तांबे की रक्षा करती है और आसान ऑप्टिकल निरीक्षण के लिए इस बाहरी फ्लैंक पर सोल्डरिंग को सक्षम करती है।
eGaN FET की अल्ट्रा-लो कैपेसिटेंस और शून्य रिवर्स रिकवरी कई टोपोलॉजी में कुशल संचालन को सक्षम बनाती है। छोटे, कम-प्रेरकत्व पदचिह्न के कारण प्रदर्शन में और वृद्धि हुई है।
ईपीसी2304 eGaN पावर ट्रांजिस्टर को उन कार्यों को संभालने के लिए डिज़ाइन किया गया है जहां अल्ट्रा-हाई स्विचिंग आवृत्ति और कम ऑन-टाइम फायदेमंद होते हैं, साथ ही उन कार्यों को संभालने के लिए जहां ऑन-स्टेट नुकसान हावी होता है।
यह डिवाइस मोटर ड्राइव, क्लास डी ऑडियो, वायरलेस पावर और पावर फैक्टर करेक्शन (पीएफसी) कन्वर्टर्स के लिए उपयुक्त है।
EPC2304 को 3 x 5 मिमी थर्मली एन्हांस्ड QFN पैकेज में एक एक्सपोज़्ड टॉप और कूलर ऑपरेशन के लिए अल्ट्रा-लो थर्मल प्रतिरोध के साथ पेश किया गया है। पैकेज में असेंबली और निरीक्षण को सरल बनाने के लिए वेटटेबल फ़्लैंक की सुविधा भी है।
ईपीसी23102 ePower स्टेज IC, EPC की स्वामित्व वाली GaN IC तकनीक का उपयोग करते हुए, MSL1 QFN पैकेज में एकल मोनोलिथिक इंटीग्रेटेड सर्किट में eGaN आउटपुट FETs के साथ एक इनपुट-लॉजिक इंटरफ़ेस, हाई-साइड लेवल शिफ्टिंग, सिंक्रोनस बूटस्ट्रैप चार्जिंग और गेट ड्राइवर को एकीकृत करता है।
परिणाम एक पावर स्टेज आईसी है जो तर्क-स्तरीय नियंत्रण संकेतों को उच्च वोल्टेज और उच्च वर्तमान पावर स्टेज में अनुवादित करता है, जो डिजाइन करने में आसान, आकार में छोटा और निर्माण में आसान है, साथ ही संचालित करने में अधिक कुशल है।
यह डिवाइस मोटर-ड्राइव इनवर्टर, क्लास-डी ऑडियो एम्पलीफायर, हाफ-ब्रिज और फुल-ब्रिज एलएलसी कन्वर्टर और बहुत कुछ के लिए उपयुक्त है।
ईपीसी2305 एक 150 V eGaN पावर ट्रांजिस्टर है जो श्रेणी में सर्वश्रेष्ठ Si MOSFETs की तुलना में कम स्विचिंग हानि और कम गेट ड्राइवर हानि प्रदान करता है, जो अपनी बढ़ी हुई दक्षता, छोटे आकार और उच्च स्विचिंग आवृत्ति के माध्यम से उच्च शक्ति घनत्व को सक्षम करता है, जिसके परिणामस्वरूप छोटे इंडक्टर्स और कम कैपेसिटर होते हैं।
EPC2305 के विशिष्ट अनुप्रयोगों में फोन, नोटबुक, गेमिंग पीसी, पावर टूल्स, होम रोबोटिक्स, ई-मोबिलिटी और सोलर शामिल हैं।
अधिक जानकारी के लिए: https://www.mouser.com/manufacturer/epc/.
