वे AEC-Q200 Rev. E के लिए योग्य हैं और ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों की विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करते हुए -40 डिग्री सेल्सियस से +150 डिग्री सेल्सियस तक संचालन के लिए डिज़ाइन किए गए हैं।
ई13 ईएम
E13 EM श्रृंखला में MnZn फेराइट कोर पर निर्मित एक कॉम्पैक्ट SMD डिज़ाइन है। 18.6 x 14.6 मिमी के पदचिह्न और 12 मिमी तक की ऊंचाई के साथ, घटक 100 किलोहर्ट्ज़ और 400 किलोहर्ट्ज़ के बीच विशिष्ट ऑपरेटिंग आवृत्तियों का समर्थन करते हैं।
वे फ्लाईबैक या पुश-पुल टोपोलॉजी के लिए उपलब्ध हैं।
उनके पास लगभग 1.8 µH से 240 µH तक का अधिष्ठापन मान और 9 ए तक की संतृप्ति धाराएं हैं। टीडीके का कहना है कि यह विभिन्न पावर आर्किटेक्चर में डिजाइन लचीलेपन को सक्षम बनाता है।
रेंगना और निकासी
कंपनी इस बात पर प्रकाश डालती है कि E13 EM श्रृंखला xEV प्लेटफार्मों में सुरक्षित और कुशल बिजली रूपांतरण के लिए कठोर क्रीपेज और क्लीयरेंस आवश्यकताओं को पूरा करती है।
विशेष रूप से, ट्रांसफार्मर में 6.3 मिमी तक की क्रीपेज दूरी और 5.5 मिमी तक की निकासी दूरी होती है और 500 वी (डीसी) पर बुनियादी इन्सुलेशन और 300 वी पर प्रबलित इन्सुलेशन की आवश्यकताओं को पूरा करते हैं। यह आईईसी 60664-1 और आईईसी 61558-2-16 के अनुरूप है।
घटकों को 2500 V तक के क्षणिक ओवरवॉल्टेज और 900 V के आंशिक डिस्चार्ज विलुप्ति वोल्टेज के लिए निर्दिष्ट किया गया है।
संभावित अनुप्रयोगों में पृथक डीसी-डीसी कन्वर्टर्स (फ्लाईबैक और पुश-पुल टोपोलॉजी) और एसी-डीसी बिजली आपूर्ति शामिल हैं। और IGBT/MOSFET xEV इनवर्टर और सहायक बिजली प्रणालियों के लिए गेट ड्राइव ट्रांसफार्मर भी।
E13 EM विशेषताएं
- आईईसी 60664-1 और आईईसी 61558-2-16 के अनुरूप इन्सुलेशन
- बुनियादी इन्सुलेशन: 500 वी डीसी कार्यशील वोल्टेज; प्रबलित इन्सुलेशन: 300 वी (आरएमएस), ओवीसी II
- कॉम्पैक्ट एसएमडी डिज़ाइन: 18.6 x 14.6 मिमी फ़ुटप्रिंट, अधिकतम 12 मिमी। ऊंचाई
- व्यापक ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -40 डिग्री सेल्सियस से +150 डिग्री सेल्सियस
- AEC-Q200 Rev. E के लिए योग्य
- RoHS संगत
- सीसा रहित रीफ़्लो सोल्डरिंग के लिए उपयुक्त (JEDEC J-STD-020F)
E13 EM पर अधिक जानकारी इस पर है टीडीके वेबसाइट।
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