कंपनी इस बात पर प्रकाश डालती है कि पैकेजिंग तकनीक विभिन्न बिजली रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए उच्च-घनत्व डिजाइन को सक्षम बनाती है। उदाहरण के लिए, रोजमर्रा के बिजली उपकरणों से लेकर मेगावाट एआई कारखानों तक।
उच्च शक्ति-घनत्व आवश्यकताओं का समर्थन करने के लिए डिज़ाइन किया गया, AOS की पैकेजिंग दो MOSFETs के साथ लंबवत स्टैक्ड डाई तकनीक का उपयोग करती है, जो एक उच्च-पक्ष और निम्न-पक्ष MOSFET के रूप में जुड़े होते हैं, जो एक आधा-पुल बनाते हैं। कंपनी का कहना है कि बिजली घनत्व बढ़ने के साथ-साथ, यह उपलब्ध पीसीबी स्थान को अधिकतम करेगा। इसकी तुलना दो DFN5x6 असतत MOSFET समाधान से की जाती है।
AOPL66801 में दो MOSFETs को जोड़ने वाले स्विच नोड के लिए एक क्लिप डिज़ाइन की सुविधा है, जो हाई-साइड और लो-साइड MOSFETs के बीच परजीवी अधिष्ठापन को कम करता है।
एओएस के अनुसार, एओपीएल66801 एक मानक असतत समाधान की तुलना में पीसीबी पर परजीवी अधिष्ठापन को कम करता है। यह चरण-नोड वोल्टेज रिंगिंग और MOSFET पर तनाव को कम करता है।
AOPL66801 पर अधिक जानकारी अल्फा और ओमेगा सेमीकंडक्टर पर है वेबसाइट (सहित डेटा शीट).
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