QDPAK टॉप-साइड कूल्ड पैकेज में रखा गया, सरफेस-माउंट डिवाइस उच्च वर्तमान क्षमता, बेहतर गर्मी अपव्यय और पावर चरण में उच्च पावर घनत्व प्रदान करता है, जो एआई डेटासेंटर में पावर रूपांतरण के लिए आवश्यक है।
यह उत्पाद नवीकरणीय ऊर्जा से संबंधित उपकरणों के लिए भी उपयुक्त है, जिसमें फोटोवोल्टिक इनवर्टर, निर्बाध बिजली आपूर्ति (यूपीएस), ईवी चार्जिंग स्टेशन और ऊर्जा भंडारण प्रणाली शामिल हैं।
जेनेरिक एआई के तेजी से विस्तार के साथ, बढ़ती बिजली की खपत डेटासेंटर के लिए एक गंभीर मुद्दा बन गई है।
विशेष रूप से, उच्च-शक्ति एआई सर्वरों को व्यापक रूप से अपनाने और 800V एचवीडीसी (हाई वोल्टेज डायरेक्ट करंट) आर्किटेक्चर की बढ़ती तैनाती उच्च बिजली रूपांतरण दक्षता और बिजली घनत्व के साथ बिजली आपूर्ति प्रणालियों की मांग को बढ़ा रही है।
TW007D120E अधिक कुशल और कॉम्पैक्ट पावर सिस्टम डिज़ाइन का समर्थन करने के लिए कम चालन हानि, कम स्विचिंग हानि और उन्नत थर्मल प्रदर्शन को मिलाकर इन आवश्यकताओं को संबोधित करता है।
नए मस्जिद में तोशिबा की मालिकाना ट्रेंच-गेट संरचना है, जो प्रति इकाई क्षेत्र में उल्लेखनीय रूप से कम ऑन-प्रतिरोध (आरडीएस (ऑन) ए) प्राप्त करती है। डिवाइस का विशिष्ट आरडीएस (ऑन) 33एनसी गेट-ड्रेन चार्ज (क्यूजीडी) और 172ए डीसी ड्रेन करंट (आईडी) के साथ 7.0mΩ है।
तोशिबा की तीसरी पीढ़ी के 1,200V SiC मॉस्फ़ेट (TW015Z120C) की तुलना में, TW007D120E RDS(on)A को लगभग 58% तक कम कर देता है और योग्यता के आंकड़े (RDS(on) × Qgd) में सुधार करता है, जो चालन हानि और स्विचिंग हानि के बीच लगभग 52% व्यापार-बंद का प्रतिनिधित्व करता है।
यह डिवाइस 15V से 18V के लो गेट ड्राइव वोल्टेज (Vgs-on) ऑपरेशन को भी सपोर्ट करता है। ये सुविधाएँ डेटासेंटर बिजली आपूर्ति प्रणालियों में अत्यधिक कुशल संचालन और कम गर्मी उत्पादन को सक्षम करती हैं, जिससे समग्र सिस्टम प्रदर्शन में सुधार होता है।
तोशिबा ने वित्तीय वर्ष 2026 के दौरान TW007D120E के बड़े पैमाने पर उत्पादन की तैयारी करने की योजना बनाई है और ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के विकास सहित अपने लाइनअप का विस्तार करना जारी रखेगा।
अपनी ट्रेंच-गेट SiC मॉसफेट तकनीक के माध्यम से, तोशिबा का लक्ष्य बिजली दक्षता में सुधार और डेटासेंटर और औद्योगिक उपकरणों में CO₂ उत्सर्जन को कम करने में योगदान देना है, जिससे एक डीकार्बोनाइज्ड समाज की प्राप्ति में सहायता मिलेगी।
नए उत्पाद TW007D120E और मौजूदा उत्पाद TW015Z120C के लिए RDS(on)A और RDS(on) × Qgd की तुलना
तोशिबा के SiC पावर उपकरणों के बारे में अधिक जानकारी के लिए इस लिंक का अनुसरण करें: SiC पावर डिवाइस
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