इसमें कहा गया है कि 2nm और A16 वेफर्स के लिए क्षमता 2026 से 2028 तक 70% CAGR से बढ़ेगी, और CoWoS क्षमता बढ़ेगी 2022 से 2027 तक 80% से अधिक सीएजीआर से बढ़ें।
कंपनी की नौ फैब और बनाने की भी योजना है 2026 में पैकेजिंग प्लांट।
एरिज़ोना में, एक फैब है उत्पादन में, 2H26 में दूसरा उपकरण स्थापित करना और तीसरे फैब का निर्माण कार्य चल रहा है। चौथे फैब और पैकेजिंग सुविधा पर काम इस साल शुरू होने की उम्मीद है।
एरिजोना उत्पादन में सालाना आधार पर 1.8 गुना वृद्धि की उम्मीद है 2026, ताइवान के बराबर पैदावार के साथ।
जापान में पहला फैब वर्तमान में 22nm और 28nn उत्पादों के लिए बड़े पैमाने पर उत्पादन में है। मजबूत मांग के जवाब में दूसरे फैब की योजनाओं को 3nm में अपग्रेड किया गया है। जर्मनी में फैब वर्तमान में निर्माणाधीन है और निर्धारित कार्यक्रम के अनुसार प्रगति कर रहा है। इसकी योजना 28nm और 22nm प्रौद्योगिकियाँ प्रदान करने की है, इसके बाद 16nm और 12nm प्रौद्योगिकियाँ प्रदान करने की है।
TSMC की SoIC 3D स्टैकिंग तकनीक 2015 CoWoS की तुलना में इसमें 56 गुना अधिक इंटरकनेक्ट घनत्व और पांच गुना बेहतर ऊर्जा दक्षता है।
SoIC बड़े पैमाने पर उत्पादन में है, जबकि 6-माइक्रोन बॉन्डिंग पिच संस्करण 2025 के लिए निर्धारित है।
N2-पीढ़ी SoIC 2028 में 6-माइक्रोन स्टैकिंग का समर्थन करेगी, जबकि A14 पीढ़ी 4.5-माइक्रोन का समर्थन करने की उम्मीद है।
TSMC की COUPE (कॉम्पैक्ट यूनिवर्सल फोटोनिक इंजन) तकनीक ने इस वर्ष 200Gbps माइक्रो रिंग मॉड्यूलेटर प्रदान किया। प्रौद्योगिकी 4x प्रदान करती है की तुलना में अधिक ऊर्जा दक्षता और 10 गुना कम विलंबता कॉपर इंटरकनेक्ट।
TSMC का 5.5-रेटिकल-आकार CoWoS संस्करण 98% पैदावार है. रिपोर्ट में कहा गया है कि टीएसएमसी 2028 में 20 एचबीएम स्टैक को एकीकृत करने में सक्षम 14-रिटिकल-आकार संस्करण की योजना बना रही है, और एक बड़ा रेटिकल आकार 2029 में 24 एचबीएम स्टैक का समर्थन करेगा।
सिस्टम ऑन वेफ़र (SoW) तकनीक 64 HBM स्टैक और 16 CoWoS मॉड्यूल को 40 रेटिकल्स से अधिक आकार में एकीकृत कर सकती है। SoWP ने 2024 में बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश किया, जबकि HBM-एकीकृत SoWX का लक्ष्य 2029 है।
