माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स यूएस में, इसने 60nm एन-पोलर आरएफ GaN की घोषणा की, जिसके माध्यम से यह दुनिया की पहली एन-पोलर GaN अर्ली फाउंड्री पेशकश होने का दावा किया गया। एचआरएल प्रयोगशालाएँ. फाउंड्री ISO 9001-प्रमाणित है और रक्षा विभाग और TAPO (ट्रस्टेड एक्सेस प्रोग्राम ऑफिस) द्वारा अनुमोदित है और MPW (मल्टी-प्रोजेक्ट वेफर) और समर्पित निर्माण सेवाएं प्रदान करती है।
एन-पोलर GaN तकनीक में 5µm प्लेटेड एयरब्रिज, 50Ω पतली फिल्म प्रतिरोधक, 300pF/मिमी के साथ दो-स्तरीय धातु इंटरकनेक्ट की सुविधा है।2 एमआईएम (मेटल इंसुलेटर मेटल) कैपेसिटर और थ्रू-सब्सट्रेट विया और बैकसाइड मेटल के साथ 2-मिलिट्री SiC। युद्ध विभाग के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स कॉमन्स कार्यक्रम द्वारा प्रायोजित दक्षिणी कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय सूचना विज्ञान संस्थान के नेतृत्व में एक ‘सुपरहब’ कैलिफोर्निया ड्रीम्स के माध्यम से जुलाई 2026 में प्रारंभिक प्रोटोटाइप निर्धारित किया गया है।
स्केलब्रिज लैब्स यह HRL का प्री-रिलीज़ T3L mm-वेव GaN नोड भी प्रदान करता है। समान विशेषताओं के साथ और 150°C जंक्शन तापमान पर 1,000 घंटे उच्च तापमान रिवर्स बायस और 1E6 घंटे से कम का MTTF (विफलता का औसत समय) प्रदान करता है।
प्रोसेस डिज़ाइन किट दोनों में उपलब्ध हैं ताल AWR डिजाइन पर्यावरण और छोटे या बड़े सिग्नल और शोर जांच मॉडल के साथ-साथ मूल डिजाइन नियम और निरंतरता जांच के लिए कीसाइट पाथवेव एडीएस आरएफआईसी और एमएमआईसी डिजाइन।
स्केलब्रिज लैब्स की स्थापना एमएमईसी (मिडवेस्ट माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स कंसोर्टियम) द्वारा ‘राष्ट्रीय सुरक्षा और वाणिज्यिक बाजारों दोनों की सेवा करने वाली रक्षा-प्रथम, दोहरे उपयोग वाली प्रौद्योगिकियों’ में तेजी लाने के लिए की गई थी।
यह अनुपालन और राष्ट्रीय सुरक्षा आवश्यकताओं और व्यावसायिक सलाह को पूरा करने के लिए हाइब्रिड-क्लाउड मॉडलिंग, सिमुलेशन और विश्लेषण टूल, डिजिटल और भौतिक संसाधनों तक पहुंच के साथ एक हाइब्रिड इनक्यूबेटर/एक्सीलरेटर मॉडल प्रदान करता है, जिसमें दोहरे उपयोग वाले बाजारों, डीओडी भागीदारों और फंडिंग अवसरों के संपर्क के साथ तैनाती और ग्राहक मार्गों के लिए परिपक्व प्रौद्योगिकियों के लिए एक संरचित दृष्टिकोण शामिल है।
ला लूस क्रिस्टालिना ऑस्टिन फैब में 200 मिमी BaTiO₃ वेफर्स का उत्पादन करती है
