संस्थान के अनुसार, “ऊपर और नीचे के इलेक्ट्रोड सहित केवल 30 एनएम मोटा होने के बावजूद यह मजबूत विद्युत ध्रुवीकरण प्रदर्शित करता है, जो इसे उच्च-घनत्व इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त बनाता है।” “यह तर्क सर्किट और यादों के संयोजन वाले अर्धचालक उपकरणों के साथ अच्छी संगतता प्रदर्शित करता है।”
मुख्य सामग्री जो उच्च अवशेष ध्रुवीकरण को प्रदर्शित करती है वह एक स्कैंडियम-डॉप्ड एल्यूमीनियम नाइट्राइड फिल्म है – वर्टज़ाइट संरचित (अल)0.9अनुसूचित जाति0.1)एन जिसने 100µC/सेमी हासिल किया2.
जबकि ध्रुवीकरण को स्विच करने के लिए बिजली की आवश्यकता होती है, बिजली हटा दिए जाने के बाद ध्रुवीकृत स्थिति बरकरार रहती है, जिससे तकनीक गैर-वाष्पशील मेमोरी के लिए उपयुक्त हो जाती है।
30nm में संपूर्ण सामग्री स्टैक, 5nm प्लैटिनम, 20nm नाइट्राइड और एक 5nm प्लैटिनम टॉप इलेक्ट्रोड शामिल है।
प्रोफेसर हिरोशी फुनाकुबो ने कहा, “फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी को कम करने पर पिछले शोध में केवल फेरोइलेक्ट्रिक परतों को पतला करने पर ध्यान केंद्रित किया गया था।” “जो बात हमारे शोध को विशिष्ट बनाती है वह यह है कि हमने केवल फेरोइलेक्ट्रिक फिल्म ही नहीं, बल्कि संपूर्ण डिवाइस स्टैक को डाउन-स्केल करने पर ध्यान केंद्रित किया है।”
निचले प्लैटिनम इलेक्ट्रोड को 840 डिग्री सेल्सियस पर हीट ट्रीट करना, जो क्रिस्टल ओरिएंटेशन को बढ़ाता है, फेरोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन को संरक्षित करने के लिए आवश्यक कदमों में से एक था क्योंकि पतली और पतली सक्रिय परतों की कोशिश की गई थी।
संस्थान ने कहा, “कुल मिलाकर, अध्ययन FeRAM और FTJ जैसे अन्य फेरोइलेक्ट्रिक आर्किटेक्चर के डाउन-स्केलिंग को प्रेरित कर सकता है, जो स्थिर ध्रुवीकरण स्विचिंग और प्रतिधारण पर निर्भर करते हैं।”
इंस्टीट्यूट ऑफ साइंस टोक्यो ने इस शोध पर कैनन एनेल्वा के साथ काम किया।
उनके निष्कर्षों को ‘के रूप में प्रकाशित किया गया हैएकीकृत पीटी/(अल) की मोटाई स्केलिंग0.9अनुसूचित जाति0.1)एन/पीटी कैपेसिटर 30एनएम तक ढेर हो जाता है‘उन्नत इलेक्ट्रॉनिक सामग्री में।
