डेटासेंटर में एक प्रमुख बाधा मुख्य मेमोरी और कंप्यूटिंग यूनिट के बीच डेटा का स्थानांतरण है। FeFETs कम विलंबता और ऊर्जा खपत के साथ “सीधे मेमोरी में” कंप्यूटिंग सक्षम करेगा।
फ्रौनहोफ़र के डॉ. मैक्सिमिलियन लेडरर कहते हैं, “हम एक ऐसा प्लेटफ़ॉर्म डिज़ाइन कर रहे हैं जो अत्याधुनिक चिप्स की मेमोरी तकनीक और कंप्यूटिंग शक्ति को अधिक निकटता से जोड़ता है।”
हेफ़नियम ऑक्साइड-आधारित फेरोइलेक्ट्रिक FET (FeFET) को इस उद्देश्य के लिए विशेष रूप से उपयुक्त माना जाता है: पतली हेफ़नियम ऑक्साइड परतों के लिए धन्यवाद, प्रौद्योगिकी को आधुनिक अर्धचालक प्रक्रियाओं में एकीकृत किया जा सकता है।
इसके अलावा, ये घटक कैपेसिटिव तरीके से (प्रतिरोधक के बजाय) संचालित होते हैं और इस प्रकार तुलनीय गैर-वाष्पशील मेमोरी समाधानों की तुलना में एम्बेडेड सिस्टम में लगभग 100 गुना कम ऊर्जा की खपत करते हैं। सहयोग का लक्ष्य 300 मिमी अनुसंधान लाइन स्थापित करना है जो न केवल उपभोक्ता अनुप्रयोगों के लिए, बल्कि ऑटोमोटिव, औद्योगिक और चिकित्सा प्रौद्योगिकी के लिए भी मेमोरी विकसित करती है।
