हेफ़नियम ऑक्साइड-आधारित फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी सेल

यह प्लेटफ़ॉर्म विशेष रूप से अल्ट्रा-लो-पावर आईसी के निर्माण के लिए डिज़ाइन किया गया है। मेमोरी सेल एक वोल्ट से कम के ऑपरेटिंग वोल्टेज पर काम करते हैं, नैनोसेकंड के भीतर स्विच करते हैं और एक लंबे चक्र जीवन का प्रदर्शन करते हैं।

यह तकनीक उन अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से प्रासंगिक है जो ऊर्जा दक्षता पर निर्भर करते हैं, जैसे स्वायत्त सेंसर, बैटरी चालित सिस्टम या ऑन-डिवाइस कृत्रिम बुद्धिमत्ता। “हमारी गैर-वाष्पशील मेमोरी तकनीक में मौजूदा समाधानों की तुलना में बहुत कम बिजली की खपत होती है।

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ग्लोबलफाउंड्रीज के स्वेन बेयर कहते हैं, “आदर्श रूप से मेल खाने वाले मेमोरी समाधान के साथ संयुक्त किफायती अल्ट्रा लो पावर तकनीक एज एआई जैसे अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से आकर्षक है। यह दो प्रौद्योगिकियों के संयोजन का प्रतिनिधित्व करता है जो एक दूसरे के लिए पूरी तरह से पूरक हैं।”

शोधकर्ताओं को उनकी उपलब्धि के लिए स्टिफ़टरवरबैंड साइंस प्राइज़ फ़ोर्सचुंग इम वर्बंड से सम्मानित किया गया है।

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