गेट ड्राइव को बेहतर बनाने के लिए केल्विन स्रोत कनेक्शन शामिल किया गया है।
TKxxxZ60Z1 नंबर वाले हिस्से, कंपनी की DTMOSVI प्रक्रिया का उपयोग करके बनाए गए हैं, जिसके बारे में कहा जाता है कि यह प्रति यूनिट क्षेत्र में ऑन-रेजिस्टेंस को लगभग 13% कम करता है, और इसके पुराने 600V DTMOSIV-H उपकरणों की तुलना में ऑन-रेजिस्टेंस x गेट-ड्रेन चार्ज को ~52% कम करता है।
तोशिबा ने कहा, “उदाहरण के लिए, TK024Z60Z1 में 20mΩ की विशिष्ट Rds(on) और 37nC की Qgd है।”
37nC 10V गेट ड्राइव के साथ 400V 80A पर एक विशिष्ट आंकड़ा है, जहां कुल गेट चार्ज 140nC है।
20mΩ भी एक विशिष्ट आंकड़ा है, 10V गेट ड्राइव के साथ 33A पर। अधिकतम मान 24mΩ है, और अन्य पाँच उपकरण अधिकतम प्रदान करते हैं: ~40, 63, 80, 99 या 125mΩ।
रिवर्स रिकवरी समय 425ns है, और रिवर्स रिकवरी चार्ज 8.5μC (400V 40A 100A/μs) है।
G0 स्पाइस मॉडल त्वरित सर्किट फ़ंक्शन सत्यापन के लिए उपलब्ध हैं, और G2 मॉडल सटीक क्षणिक सिमुलेशन के लिए उपलब्ध हैं।
कंपनी इन्हें सर्वर, औद्योगिक बिजली आपूर्ति और फोटोवोल्टिक पावर कंडीशनर में उपयोग करती हुई देखती है।
